DCM是一个隔离和稳压的DC-DC转换器。

ZVS降压稳压器是一个稳压和非隔离的DC-DC转换器。

在上一段已经提到，为了有更高的效率，不会重复隔离和稳压。

虽然稳压是由DCM和ZVS降压稳压器重复进行的，由于ZVS降压稳压器的高效率，从高电压到所需电压的整体效率可以达到高于90%。

ChiP——转换器级封装：

图11（ChiP等效电路热模型）

DCM DC-DC转换器通过突破性封装技术——转换器级封装（ChiP）技术进行封装。

为了实现更高的功率效率、密度和设计灵活性，需要功率元件封装技术的持续改进，因此，ChiP的推出优化了电气和热性能。

ChiP产品的设计在PCB两面都有功率元件，可减少由于寄生的损耗，通过整个封装均匀彻底地散热，并利用了顶部和底部表面散热。

ChiP产品封装在热增强型模压化合物中，降低了温差，为便于使用热管理配件，提供了平整的模块顶部和底部表面，如散热器、冷板、热管等。

ZVS降压拓扑结构：

如图11所示，除了一个连接在输出电感器两端的附加箝位开关，ZVS降压拓扑结构与传统降压转换器相同。增加的箝位开关允许将能量存储在输出电感器中，用来实现零电压开关。

图12（ZVS降压拓扑结构）

图12显示了ZVS降压拓扑结构的时序图，它主要由三个状态组成，如下所示。

- Q1导通阶段

假设Q1在谐振过渡后的近零电压开启。当D-S电压几乎为零时，Q1在零电流开启。MOSFET和输出电感器中的电流斜升，准时达到由Q1决定的峰值电流。在Q1导通阶段，能量存储在输出中，并为输出电容器充电。在Q1导通阶段，Q1中的功耗是由MOSFET导通电阻决定的；开关损耗可以忽略不计。

- Q2导通阶段

Q1迅速关闭，接着是一个很短时间的体二极管导通，这增加了可以忽略不计的功耗。接下来，Q2开启，存储在输出电感器中的能量被传送到负载和输出电容器。当电感器电流达到零时，同步MOSFET保持足够长的时间，在输出电感器中存储一些来自输出电容器的能量。电感器电流为负值。

- 箝位阶段

一旦控制器已确定有足够的能量存储在电感器中，同步MOSFET关闭，箝位开关开启，箝位Vs节点至输出电压。箝位开关隔离输出电感器电流与输出，同时以几乎无损的方式用电流来循环存储的能量。在箝位阶段，由输出电容器提供的输出在该阶段持续很短时间。 当箝位阶段结束时，箝位开关被打开。输出电感器中储存的能量与Q1和Q2输出电容产生谐振，导致Vs节点对输入电压振铃。 这个振铃对Q1的输出电容放电，减少了Q1的米勒电荷，并为Q2的输出电容充电。当Vs节点几乎等于输入电压时，这允许以无损方式方式开启Q1。